NTE5410

更新时间： 2024-11-16 04:36:03

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
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2页	24K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 3 Amp Sensitive Gate

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NTE5410 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	SENSITIVE GATE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	0.2 mA	最大直流栅极触发电压：	1.5 V
最大维持电流：	20 mA	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	通态非重复峰值电流：	30 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	3000 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	4 A
断态重复峰值电压：	600 V	重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5410 数据手册

NTE5351

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

for High Speed Switching

Features:

D Fast Turn–Off Time

D High di/dt and dv/dt Capabilities

D Shorted–Emitter Gate–Cathode Construction

D Center Gate Construction

Non–Repetitive Peak Reverse Voltage (Gate Open, Note 1), V_RSOM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Non–Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, Note 1), V_DSOM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Repetitive Peak Reverse Voltage (Gate Open, Note 1), V_RROM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, Note 1), V_DROM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current (T_C= +60°C, 180° conduction angle), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0A

Average On–State Current (T_C= +60°C, 180° conduction angle), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current, I_TSM

(T_C= +60°C, for one full cycle at applied voltage)

60Hz (Sinusoidal) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A

50Hz (Sinusoidal) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65A

Rate of Change of On–State Current (V_D= 600V, I_GT= 50mA, t = 1 to 8.3ms), di/dt . . . . . 200A/µs

Fusing Current (T_J= –40° to +100°C, t = 1 to 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Peak Forward Gate Power Dissipation (10µs Max, Note 2), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W

Peak Reverse Gate Power Dissipation (10µs Max, Note 2), P_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W

Average Gate Power Dissipation (10µs Max, Note 2), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W

Operating Case Temperature Range, T_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W

Lead Temperature (During Soldering, 1/32” from seating plane, 10sec max), T_L. . . . . . . . . +225°C

Note 1. These values do not apply if there is a positive gate signal. Gate must be negatively biased.

Note 2. Any product of gate current and gate voltage which results in a gate power less than the maximum

is permitted.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5411	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp, Sensitive Gate
NTE5412	ETC	获取价格
NTE5413	ETC	获取价格
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NTE5418	ETC	获取价格
NTE5419	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 10 Amp
NTE542	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.35A, 16000V V(RRM), Silicon,

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