NTE5404

更新时间： 2024-11-16 04:36:03

品牌	Logo	应用领域
NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 0.8 Amp Sensitive Gate

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE5404 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	1.52
Is Samacsys：	N	其他特性：	SENSITIVE GATE
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	0.2 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	5 mA
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
通态非重复峰值电流：	20 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	800 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	0.8 A	断态重复峰值电压：	200 V
重复峰值反向电压：	200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5404 数据手册

NTE5400 thru NTE5406

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

0.8 Amp Sensitive Gate

Description:

The NTE5400 through NTE5406 sensitive gate SCR semiconductors are halfwave unidirectional

gate controlled rectifiers (SCR–thyristor) rated at 0.8 amps RMS maximum on–state current, with

rated voltages up to 600 volts.

These devices feature 200 microamp gate sensitivity, 5 millamp holding current and 8 amp surge ca-

pabilities.

Available in a TO–92 plastic package, these devices feature excellent environmental stress and tem-

perature cycling characteristics and, coupled with their small size and electrical performance, lend

themselves to various types of control functions encountered with sensors, motors, lamps, relays,

counters, triggers, etc.

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Reverse Voltage (T_C= +100°C), V_RRM

NTE5400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

NTE5401 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

NTE5402 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5403 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V

NTE5404 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5405 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5406 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Repetitive Peak Off–State Voltage (T_C= +100°C), V_DRXM

NTE5400 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

NTE5401 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

NTE5402 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

NTE5403 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V

NTE5404 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

NTE5405 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE5406 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current, I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current (One Cycle at 50 or 60Hz), I_TSM. . . . . . . . . . . . 8A

Peak Gate–Trigger Current (3µs Max), I_GTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Peak Gate–Power Dissipation (I_GT≤ I_GTMfor 3µs Max), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Average Gate Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mW

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +5°C/W

Typical Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C/W

中文翻译

下载PDF

NTE5404 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
S2A	NKK	功能相似	Medium Capacity Standard Size Toggles
EC103D	LITTELFUSE	功能相似	Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A)
EC103D1	LITTELFUSE	功能相似	Sensitive SCRs (0.8 A to 10 A)

与NTE5404相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE5405	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 0.8 Amp Sensitive Gate
NTE5406	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 0.8 Amp Sensitive Gate
NTE5408	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 3 Amp Sensitive Gate
NTE5409	ETC	获取价格
NTE541	ETC	获取价格
NTE5410	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 3 Amp Sensitive Gate
NTE5411	NTE	获取价格	Silicon Controlled Rectifier (SCR) 4 Amp, Sensitive Gate
NTE5412	ETC	获取价格
NTE5413	ETC	获取价格
NTE5414	ETC	获取价格

与NTE5404相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

14
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

8
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

36
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5404

NTE5404 技术参数

NTE5404 数据手册

NTE5404 替代型号

与NTE5404相关器件

与NTE5404相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE5404

NTE5404 技术参数

NTE5404 数据手册

NTE5404 替代型号

与NTE5404相关器件

与NTE5404相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？