NTE5360

更新时间： 2024-09-26 04:36:03

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NTE		栅极触发装置可控硅整流器
页数	文件大小	规格书
2页	54K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) 35 Amp

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NTE5360 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.13	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	ANODE
标称电路换相断开时间：	10 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	180 mA
最大直流栅极触发电压：	3 V	最大维持电流：	150 mA
JEDEC-95代码：	TO-48	JESD-30 代码：	O-MUPM-D2
通态非重复峰值电流：	180 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	35000 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	35 A	断态重复峰值电压：	800 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子形式：	SOLDER LUG	端子位置：	UPPER
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

NTE5360 数据手册

NTE5360

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

35 Amp

Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics:

Repetitive Peak Off State Voltage (Gate Open, T_J= +110°C), V_DRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Repetitive Peak Reverse Voltage (Gate Open, T_J= +110°C), V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On−State Current (T_C= +80°C, 360° Conduction Angle), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A

Peak Surge (Non−Repetitive) On−State Current (One Cycle, 50 or 60Hz), I_TSM. . . . . . . . . . . 400A

Peak Gate Trigger Current (3µs Max), I_GTM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak Gate Power (I_GT≤ I_GTM), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Average Gate Power Dissipation, P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Maximum Repetitive Peak Off−State Current (At V_DRM, T_C= +110°C), I_DRM. . . . . . . . . . . . . . 1.0mA

Maximum Repetitive Peak Reverse Current (At V_RRM, T_C= +110°C), I_RRM. . . . . . . . . . . . . . . 1.0mA

Maximum Peak On−State Voltage (T_C= +25°C, I_T= 40A), V_TM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6V

Maximum DC Holding Current (Gate Open, T_C= +25°C), I_H. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Critical Rate of Rise of Off−State Voltage (Gate Open, T_C= +110°C), dv/dt . . . . . . . . . . . . 200V/µs

Maximum DC Gate Trigger Current (V_A= 12V, R_L= 60Ω, T_C= +25°C), I_GT. . . . . . . . . . . . . . 25mA

Maximum DC Gate Trigger Voltage (V_A= 12V, R_L= 60Ω, T_C= +25°C), V_GT. . . . . . . . . . . . . . . 2.0V

gate Controlled Turn−On Time (For t_dand t_r, I_GT= 150mA, T_C= +25°C), t_gt. . . . . . . . . . . . . . 2.5µs

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +150°C

Typical Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4°C/W

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NTE5360 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
C354M	POWEREX	功能相似	Silicon Controlled Rectifier, 274.75A I(T)RMS, 250000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1

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