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NTE5351

更新时间： 2024-09-26 04:36:03

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NTE		可控硅整流器开关
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon Controlled Rectifier (SCR) for High Speed Switching

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NTE5351 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	2.07	其他特性：	HIGH SPEED
外壳连接：	ANODE	标称电路换相断开时间：	2.9 µs
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	40 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	最大维持电流：	100 mA
JEDEC-95代码：	TO-66	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
通态非重复峰值电流：	90 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最大通态电流：	5000 A
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	5 A	断态重复峰值电压：	600 V
重复峰值反向电压：	600 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

NTE5351 数据手册

NTE5351

Silicon Controlled Rectifier (SCR)

for High Speed Switching

Features:

D Fast Turn–Off Time

D High di/dt and dv/dt Capabilities

D Shorted–Emitter Gate–Cathode Construction

D Center Gate Construction

Non–Repetitive Peak Reverse Voltage (Gate Open, Note 1), V_RSOM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Non–Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, Note 1), V_DSOM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Repetitive Peak Reverse Voltage (Gate Open, Note 1), V_RROM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Repetitive Peak Off–State Voltage (Gate Open, Note 1), V_DROM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

RMS On–State Current (T_C= +60°C, 180° conduction angle), I_T(RMS). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0A

Average On–State Current (T_C= +60°C, 180° conduction angle), I_T(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2A

Peak Surge (Non–Repetitive) On–State Current, I_TSM

(T_C= +60°C, for one full cycle at applied voltage)

60Hz (Sinusoidal) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A

50Hz (Sinusoidal) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65A

Rate of Change of On–State Current (V_D= 600V, I_GT= 50mA, t = 1 to 8.3ms), di/dt . . . . . 200A/µs

Fusing Current (T_J= –40° to +100°C, t = 1 to 8.3ms), I²t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Peak Forward Gate Power Dissipation (10µs Max, Note 2), P_GM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W

Peak Reverse Gate Power Dissipation (10µs Max, Note 2), P_RGM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W

Average Gate Power Dissipation (10µs Max, Note 2), P_G(AV). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5W

Operating Case Temperature Range, T_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40°C/W

Lead Temperature (During Soldering, 1/32” from seating plane, 10sec max), T_L. . . . . . . . . +225°C

Note 1. These values do not apply if there is a positive gate signal. Gate must be negatively biased.

Note 2. Any product of gate current and gate voltage which results in a gate power less than the maximum

is permitted.

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