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NTE53 PDF预览

NTE53

更新时间： 2024-11-16 07:13:51
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NTE 晶体开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch

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NTE53 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：1.96外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：12
JEDEC-95代码：TO-3JESD-30 代码：O-MBFM-P2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：175 W
最大功率耗散 (Abs)：175 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：6 MHz

NTE53 数据手册

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NTE53  
Silicon NPN Transistor  
High Voltage, High Speed Switch  
Description:  
The NTE52 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high–speed  
power switching in inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited for  
115V and 220V line–operated switch–mode appliations.  
Applications:  
D Switching Regulators  
D PWM Inverters and Motor Controls  
D Deflection Circuits  
D Solenoid and Relay Drivers  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
Collector–Emitter Voltage, VCEX(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V  
Collector–Emitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A  
Base Current, IB  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C  
Total Device Dissipation (TC = +100°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W  
Operating Junction Temperatur Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperatur Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W  
Maximum Lead temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +275°C  
Note 1. Pulse test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
123

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