NTE52

更新时间： 2024-11-01 07:13:51

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NTE		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	29K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch

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NTE52 数据手册

NTE52

Silicon NPN Transistor

High Voltage, High Speed Switch

Description:

The NTE52 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high–speed

power switching in inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited for

line–operated switch–mode appliations.

Applications:

D Switching Regulators

D Motor Controls

D Inverters

D Solenoid and Relay Drivers

Features:

D Fast Turn–Off Times:

100ns Inductive Fall Time @ +25°C (Typ)

150ns Inductive Crossover Time @ +25°C (Typ)

400ns Inductive Storage Time @ +25°C (Typ)

D Operating Temperature Range: –65° to +200°C

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 450V

Collector–Emitter Voltage, V_CEV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Base Current, I_B

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.714W/°C

Total Device Dissipation (T_C= +100°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71.5W

Operating Junction Temperatur Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperatur Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4°C/W

Maximum Lead temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . +275°C

Note 1. Pulse test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.

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