NTE519

更新时间： 2024-11-20 07:13:51

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NTE		整流二极管开关 PC
页数	文件大小	规格书
1页	22K
描述
Silicon Rectifier Diode Ultra Fast Switch

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NTE519 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	2.28
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	234815	Samacsys Pin Count：	2
Samacsys Part Category：	Diode	Samacsys Package Category：	Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting
Samacsys Footprint Name：	NTE519	Samacsys Released Date：	2017-10-07 10:43:33
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	0.15 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

NTE519 数据手册

NTE519

Silicon Rectifier Diode

Ultra Fast Switch

Absolute Maximum Ratings:

Repetitive Peak Reverse Voltage, V_RRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Reverse Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V

Surge Forward Current (t_p= 1µs), I_FSM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Repetitive Peak Forward Current, I_FRM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Forward Current, I_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA

Average Forward Current (V_R= 0), I_FAV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA

Power Dissipation (I = 4mm), P_V

T_L= +45°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 440mW

T_L≤ +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Junction to Ambient (I = 4mm, T_L= constant), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350K/W

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Forward Voltage Drop

Reverse Current

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

V_F

I_R

I_F= 10mA

V_R= 20V

–

µA

V_R= 20V, T_J= +150°C

–

V_R= 75V

–

Breakdown Voltage

Diode Capacitance

V_(BR)I_R= 100µA, Note 1

100

–

C_D

η_r

V_R= 0, f = 1MHz, V_HF= 50mV

Rectification Efficiency

Reverse Recovery Time

V_HF= 2V, f = 100MHz

–

t_rr

I_F= I_R= 10mA, i_R= 1mA

I_F= 10mA, V_R= 6V, i_R= 0.1 ꢀ I_R, R_L= 100Ω

–

t_p

= 0.01, t_p= 0.3ms

Note 1.

1.000

(25.4)

Min

.200

(5.08)

Max

.022 (.509) Dia Max

Color Band Denotes Cathode

.090 (2.28)

Dia Max

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