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NTE51

更新时间： 2024-11-11 07:13:47

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	28K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage, High Speed Switch

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NTE51 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.69	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	8
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	75 W	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

NTE51 数据手册

NTE51

Silicon NPN Transistor

High Voltage, High Speed Switch

Description:

The NTE51 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for high–voltage, high–

speed power switching inductive circuits where fall time is critical. This device is particularly suited

for 115V and 220V SWITCHMODE applications such as switching regulators, Inverters, motor con-

trols, solenoid/relay drivers and deflection circuits.

Features:

D Reverse Bias SOA with Inductive Loads @ T_C= +100°C

D 700V Blocking Capability

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Collector–Emitter Voltage, V_CEV. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V

Emitter Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9V

Collector Current,I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A

Base Current, I_B

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Emitter Current, I_E

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16mW/°C

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise Specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics (Note 1)

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

I = 10mA, I = 0

400

–

CEO(sus)

CEV

= 700V, V = 1.5V

BE(off)

CEV

= 700V, V

= 1.5V,

–

CEV

BE(off)

T = +100°C

Emitter Cutoff Current

= 9V, I = 0

–

EBO

Note 1. Pulse test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 2%.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE510	NTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 45000V V(RRM), Silicon,
NTE5100A	NTE	获取价格	NTE5061A thru NTE5105A Zener Diode, 1 Watt 5% Tolerance
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