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NTE5019T1

更新时间： 2024-02-26 10:07:33

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NTE		二极管齐纳二极管
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1页	19K
描述
Zener Diode, 500mW 【1% Tolerance

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NTE5019T1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	1.48
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	10 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	1%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

NTE5019T1 数据手册

NTE5010T1 thru NTE5021T1

Zener Diode, 500mW

±1% Tolerance

Features:

D Zener Voltage 5.1V to 12V

D Constructed with an Oxide Passivated All Diffused Die

D DO35 Type Axial Lead Package

Absolute Maximum Ratings:

Forward Voltage (I_F= 100mA, T_L= +30°C, Lead Length = 3/8”), V_F. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5V

DC Power Dissipation (T_L≤ +50°C, Lead length = 3/8”), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW

Derate Above 50°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.33mW/°C

Operating Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +200°C

Electrical Characteristics: (T_L= +30°C, Lead Length = 3/8” unless otherwise specified)

Max DC

Zener

Max Zener Impedance

Nom Zener

Voltage

(Note 1)

V @ I

Zener

Test

(Note 3)

Typical

Max Leakage

Current

Temperature

Coefficient

NTE Type

Number

Current (Note 2)

Z @ I

0.25mA (I )

@ V

(I )

)

Volts

5.1

Ohms

2050

1800

1300

600

%/°C

µA

2.0

1.0

0.1

Volts

2.0

5010T1

5011T1

5013T1

5019T1

5021T1

+0.025

+0.035

+0.040

+0.065

+0.073

5.6

3.0

6.2

4.0

10.0

12.0

8.0

600

9.1

Note 1. Voltage measurement to be performed 20 seconds after application of the DC test current.

Note 2. The maximum zener current (I_zm⁾shown is for the nominal voltages. The following formula

can be used to determine th worst case current for any tolerance device:

V_zm

I_zm

Where V_zmis the high end of the tolerance specified and P is the rated power of the device.

Note 3. Zener impedance is derived from the 1kHz AC voltage which results when an AC current

having an RMS value equal to 10% of DC zener current (I_ZTor I_ZK) is superimposed on I_ZT

or I_ZK.

1.000

(25.4)

Min

.200

(5.08)

Max

.022 (.509) Dia Max

.090 (2.28)

Dia Max

Color Band Denotes Cathode

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NTE5019T1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
1N6000D-AP	MCC	功能相似	Zener Diode, 10V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN

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