NTE467

更新时间： 2024-11-30 22:50:55

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NTE		晶体开关小信号场效应晶体管斩波器
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2页	24K
描述
Silicon N-channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch

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NTE467 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	1.57
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏源导通电阻：	30 Ω
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	4 pF
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.31 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE467 数据手册

NTE467

Silicon N–Channel JFET Transistor

Chopper, High Speed Switch

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Source Voltage, V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Drain–Gate Voltage, V_DG. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Reverse Gate–Source Voltage, V_GSR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Forward Gate Current, I_G(f). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 310mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.82mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Gate–Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

I = 10µA, V = 0

–

(BR)GSS

= –15V, V = 0

1.0

µA

GSS

= –15V, V = 0, T = +100°C

–

Drain Cutoff Current

= 15V, V = –12V

–

D(off)

= 15V, V = –12V, T = +100°C

–

ON Characteristics

Zero–Gate Voltage Drain Current

Drain–Source ON–Voltage

Static Drain–Source ON Resistance

Input Capacitance

= 20V, V = 0, Note 1

–

0.5

DSS

DS(on)

I = 12mA, V = 0

D GS

(on) I = 1mA, V = 0

–

Ω

= –12V, V = 0, f = 1MHz

–

iss

rss

Reverse Transfer Capacitance

Switching Characteristics

Turn–On Delay Time

= –12V, V = 0, f = 1MHz

–

= 10V, V

= 0,

D(on)

d(on)

GS(off)

GS(on)

= 10V, I

= 12mA,

Rise Time

R = 50Ω

Turn–Off Delay Time

d(off)

Fall Time

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 3%.

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