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NTE466 PDF预览

NTE466

更新时间： 2024-11-30 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关小信号场效应晶体管斩波器
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
Silicon N-Channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch

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NTE466 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：BCY
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.12
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏源导通电阻：25 Ω
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：0.8 pF
JEDEC-95代码：TO-18JESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.36 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE466 数据手册

 浏览型号NTE466的Datasheet PDF文件第2页 
NTE466  
Silicon N–Channel JFET Transistor  
Chopper, High Speed Switch  
Absolute Maximum Ratings:  
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V  
Reverse Gate–Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40V  
Forward Gate Current, IG(f) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
V
I = 1A, V = 0  
–40  
–
–
–
–
–
–
–
–
V
(BR)GSS  
G
DS  
I
V
= –20V, V = 0  
0.25  
0.5  
nA  
µA  
V
GSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
V
V
V
V
= –20V, V = 0, T = +150°C  
–
DS  
A
Gate–Source Cutoff Voltage  
Drain Cutoff Current  
V
= 15V, I = 0.5nA  
–4  
–
–10  
0.25  
0.5  
GS(off)  
D
I
= 15V, V = –10V  
nA  
µA  
D(off)  
GS  
= 15V, V = –10V, T = +150°C  
–
GS  
A
ON Characteristics  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
Drain–Source ON–Voltage  
Small–Signal Characteristics  
Drain–Source “ON” Resistance  
Input Capacitance  
I
V
= 15V, V = 0, Note 1  
50  
–
–
–
–
mA  
V
DSS  
DS  
GS  
V
DS(on)  
I = 20mA, V = 0  
D
0.75  
GS  
r
V
= 0, I = 0, f = 1kHz  
–
–
–
–
–
–
25  
18  
Ω
DS(on)  
GS  
DS  
DS  
D
C
V
V
= 0, V = –10V, f = 1MHz  
pF  
pF  
iss  
GS  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics (Note 2)  
Turn–On Delay Time  
C
= 0, V = –10V, f = 1MHz  
0.8  
rss  
GS  
t
–
–
–
–
–
–
6
3
ns  
ns  
ns  
V
V
= 10V, I  
= 20mA,  
GS(off)  
d(on)  
DD  
GS(on)  
D(on)  
= 0, V  
= –10V  
Rise Time  
t
r
Turn–Off Time  
t
off  
25  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 100ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
Note 2. The ID(on) values are nominal; exact values vary slightly with transistor parameters.  
12

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