NTE464

更新时间： 2024-11-30 22:50:55

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NTE		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon Complementary MOSFET Transistors Enhancement Mode for Switching Applications

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NTE464 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	1.6	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.03 A	最大漏源导通电阻：	600 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	1.3 pF
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE464 数据手册

NTE464 (P–Ch) & NTE465 (N–Ch)

Silicon Complementary MOSFET Transistors

Enhancement Mode for Switching Applications

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Source Voltage, V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V

Drain–Gate Voltage, V_DG. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Gate Current, I_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/°C

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.56mW/°C

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max

Unit

OFF Characteristics

Drain–Source Breakdown Voltage

Zero–Gate–Voltage Drain Current

I = –10µA, V = 0

–25

–

(BR)DSX

= –10V, V = 0, T = +25°C

–10

±10

µA

DSS

= –10V, V = 0, T = +150°C

–

Gate Reverse Current

ON Characteristics

= ±30V, V = 0

–

GSS

Gate Threshold Voltage

Drain–Source On–Voltage

On–State Drain Current

= –10V, I = –10µA

–1

–

–5

–1

–

GS(Th)

I = –2mA, V = –10V

D GS

DS(on)

= –10V, V = –10V

–3

D(on)

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