NTE461

更新时间： 2024-12-01 03:32:35

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NTE		晶体小信号场效应晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	83K
描述
Silicon N−Channel JFET Transistor Dual, Matched Pair DC Amp/Sampler/Chopper

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NTE461 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-71
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W6	针数：	6
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	1.57	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	2 pF	JEDEC-95代码：	TO-71
JESD-30 代码：	O-MBCY-W6	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE461 数据手册

NTE461

Silicon N−Channel JFET Transistor

Dual, Matched Pair

DC Amp/Sampler/Chopper

Features:

D High Input Impedance: I_G< 50pA

D Minimum System Error and Calibrations

D TO−71 Case Style

Absolute Maximum Ratings:

Gate Drain or Gate Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −50V

Gate Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA

Device Dissipation (T_A= +25°C, Each Side) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.67mW/°C

Total Device Dissipation (T_A= +25°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.67mW/°C

Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case for 30sec) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C, unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max

Unit

Static Characteristics

Gate−Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

I = −1µA, V = 0

−50

−

(BR)GSS

= −30V, V = 0

−100

−4.5

8.0

GSS

Gate−Source Cutoff Voltage

Saturation Drain Current

Gate Operating Current

Dynamic Characteristics

Forward Transcondutance

Input Capacitance

= 15V, I = 0.5nA

−0.5

0.5

−

GS(off)

= 15V, V = 0

DSS

= 15V, I = 200µA

−50

g = 1kHz

1500

−

6000 µmhos

= 15V, V = 0

−

iss

rss

Reverse Transfer Capacitance

= 15V, V = 0

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