NTE460

更新时间： 2024-11-30 22:30:19

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NTE		晶体放大器小信号场效应晶体管
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描述
Silicon P-Channel JFET Transistor AF Amp

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NTE460 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	1.58	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	800 Ω	FET 技术：	JUNCTION
JEDEC-95代码：	TO-72	JESD-30 代码：	O-MBCY-W4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE460 数据手册

NTE460

Silicon P–Channel JFET Transistor

AF Amp

Absolute Maximum Ratings:

Drain–Gate Voltage, V_DG. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Reverse Gate–Source Voltage, V_GSR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Gate Current, I_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.3W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max

Unit

OFF Characteristics

Gate–Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

I = 10µA, V = 0

–

(BR)GSS

= 10V, V = 0

µA

GSS

= 10V, V = 0, T = +150°C

–

ON Characteristics

Zero–Gate–Voltage Drain Current

Gate–Source Voltage

= –10V, V = 0, Note 1

2.0

–

6.0

800

DSS

= –15V, I = 10µA

Drain–Source Resistance

Small–Signal Characteristics

Forward Transfer Admittance

I = 100µA, V = 0

–

Ω

|y |

= 10V, I = 2mA, f = 1kHz, Note 1

1500

–

3000 µmhos

= 10V, I = 2mA, f = 10MHz, Note 1

1350

–

µmhos

Output Admittance

|y |

= 10V, I = 2mA, f = 1kHz

–

Reverse Transfer Conductance

Input Conductance

|y |

= 10V, I = 2mA, f = 1kHz

0.1 µmhos

0.2 µmhos

|y |

= 10V, I = 2mA, f = 1kHz

Inpu Capacitance

= 10V, V = 1V, f = 1MHz

iss

Functional Characteristics

Noise Figure

= –5V, I = 1mA, R = 1MΩ, f = 1kHz

–

3.0

Note 1. Pulse Test: PulseWidth ≤ 630ms, Duty Cycle ≤ 10%.

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