NTE46

更新时间： 2024-11-30 22:50:55

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NTE		晶体驱动器放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor Darlington, General Purpose Amplifier, Preamp, Driver

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NTE46 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	2.14	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	10000
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

NTE46 数据手册

NTE46

Silicon NPN Transistor

Darlington, General Purpose Amplifier,

Preamp, Driver

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction to Case, R_Θ_JC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.3°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient, R_Θ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Breakdown

Voltage

V_(BR)CESI_C= 100µA, V_BE= 0

100

–

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100µA, I_E= 0

Emitter–Base Breakdown Voltage V_(BR)EBOI_E= 10µA, I_C= 0

100

–

Collector Cutoff Voltage

I_CBO

I_CES

I_EBO

V_CB= 80V, I_E= 0

V_CE= 80V, V_BE= 0

V_BE= 10V, I_C= 0

100

500

100

–

Emitter Cutoff Current

–

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NTE46 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE85	NTE	类似代替	Silicon NPN Transistor General Purpose Amplifier
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NTE47	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Gain, Low Noise Amp

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