NTE459

更新时间： 2024-11-30 22:50:55

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NTE		晶体开关放大器小信号场效应晶体管斩波器
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
N-Channel Silicon JFET Transistor AF Amplifier/Chopper/Switch

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NTE459 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	0.01 A
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	3 pF
JEDEC-95代码：	TO-72	JESD-30 代码：	O-MBCY-W4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE459 数据手册

NTE459

N–Channel Silicon JFET Transistor

AF Amplifier/Chopper/Switch

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Drain–Source Voltage, V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Drain–Gate Voltage, V_DG. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50V

Drain Current, I_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max

Unit

Gate–Source Breakdown Voltage

Gate Reverse Current

I = –1µA, V = 0

–50

–

(BR)GSS

= –30V, V = 0

–0.1

–100

–6

GSS

= –30V, V = 0, T = +150°C

–

Gate–Source Cutoff Voltage

Gate–Source Voltage

I = 0.5nA, V = 15V

–

GS(off)

I = 200µA, V = 15V

–1

–4

ON Characteristics

Zero–Gate–Voltage Drain Current

Small–Signal Characteristics

Forward Transfer Admittance

= 15V, V = 0, Note 1

–

DSS

|y |

= 15V, V = 0, f = 1kHz,

3000

6500

µmho

Note 1

= 15V, V = 0, f = 100MHz

3000

–

µmho

Output Admittance

|y |

= 15V, V = 0, f = 1kHz,

Note 1

Input Capacitance

= 15V, V = 0, f = 1MHz

–

iss

Reverse Transfer Capacitance

rss

= 15V, V = 0, f = 1MHz

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 100ms, Duty Cycle ≤ 10%.

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