NTE458

更新时间： 2024-11-29 22:50:55

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NTE		晶体音频放大器小信号场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
N-Channel Silicon JFET General Purpose, Low Noise, Audio Frequency Amplifier

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NTE458 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	1.57
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.02 A
FET 技术：	JUNCTION	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE458 数据手册

NTE458

N–Channel Silicon JFET

General Purpose, Low Noise, Audio Frequency Amplifier

Features:

D Very Low Noise

D Low Gate Current

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Gate–Drain Voltage, V_GDO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50V

Gate–Source Voltage, V_GSO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –50V

Drain–Source Voltage (V_DS= –2V), V_DSX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V

Drain Current, I_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA

Gate Current, I_G. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA

Total Device Dissipation, P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

I_GSS

Test Conditions

V_GS= –20V, V_DS= 0

V_DS= 10V, V_GS= 0

Min Typ Max

Unit

Gate Reverse Current

–

–1

Zero–Gate Voltage Drain Current

Gate–Source Voltage

I_DSS

0.5

3.0

V_GS(off)V_DS= 10V, I_D= 10µA

–0.13 –0.5 –1.5

Forward Transconductance

g_fs

V_DS= 10V, I_D= 0.5mA, f = 1kHz

4.0

–

5.2

–

mhos

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz

Input Capacitance

C_iss

C_rss

–

Reverse Transfer Capacitance

Noise Frequency

–

2.6

5.0

–

V_DS= 10V, V_GS= 0, R_G= 1kΩ,

f = 10Hz

–

V_DS= 10V, V_GS= 0, R_G= 1kΩ,

–

1.0

0.6

3.0

1.5

f = 100Hz

V_DS= 10V, V_GS= 0, R_G= 1kΩ,

f = 1kHz

Noise Voltage

I_D= 0.5mA, R_G= 1kΩ,

f = 10Hz to 1kHz (at V_G= –3dB)

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NTE458 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N4341	VISHAY	功能相似	N-Channel JFETs
2N4341	CENTRAL	功能相似	N-CHANNEL JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N4869	INTERFET	功能相似	N-Channel Silicon Junction Field-Effect Transistor

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