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NTE456 PDF预览

NTE456

更新时间： 2024-09-27 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关放大器小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 25K
描述
N-Channel Silicon JFET General Purpose Amp, Switch

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NTE456 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：1.6
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.015 AFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：2 pFJEDEC-95代码：TO-72
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE456 数据手册

 浏览型号NTE456的Datasheet PDF文件第2页 
NTE456  
N–Channel Silicon JFET  
General Purpose Amp, Switch  
Description:  
The NTE456 is an N–Channel junction silicon field–effect transistor in a TO72 type package designed  
for general purpose amplifier and switching applications.  
Absolute Maximum Ratings:  
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Drain–Gate Voltge, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30V  
Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2mW/°C  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +200°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max  
Unit  
OFF Characteristics  
Gate–Source Breakdown Voltage  
Gate Reverse Current  
V
V
DS  
V
GS  
V
GS  
V
DS  
V
DS  
= 0, I = –10µA  
–30  
–
–
–
–
–
–
–
V
nA  
nA  
V
(BR)GSS  
G
I
= –15V, V = 0  
–0.1  
–100  
–6  
GSS  
DS  
= –15V, V = 0, T = +150°C  
–
DS  
A
Gate–Source Cutoff Voltage  
Gate–Source Voltage  
V
= 15V, I = 0.1nA  
–
GS(off)  
D
V
GS  
= 15V, I = 200µA  
–1.0  
–5.0  
V
D
ON Characteristics  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
Static Drain–Source On Resistance  
I
V
V
= 15V, V = 0  
2.0  
–
–
6.0  
–
mA  
DSS  
DS  
GS  
r
= 0, V = 0  
400  
Ω
DS(on)  
DS  
GS  
12

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