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NTE4070BT

更新时间： 2024-11-03 21:22:19

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NTE		栅光电二极管逻辑集成电路石英晶振触发器
页数	文件大小	规格书
4页	69K
描述
XOR Gate,

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NTE4070BT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SOP, SOP14,.25
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
系列：	4000/14000/40000	JESD-30 代码：	R-PDSO-G14
长度：	8.64 mm	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	XOR GATE	功能数量：	4
输入次数：	2	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP14,.25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	Prop。Delay @ Nom-Sup：	350 ns
传播延迟（tpd）：	350 ns	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	1.682 mm	最大供电电压 (Vsup)：	18 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	3.91 mm	Base Number Matches：	1

NTE4070BT 数据手册

NTE4070B and NTE4070BT

Integrated Circuit

CMOS, Quad Exclusive OR Gate

Description:

The NTE4070B (14−Lead DIP) and NTE4070BT (SOIC−14) are quad exclusive OR gates

constructed with MOS P−channel and N−channel enhancement mode devices in a single monolithic

structure. These complementary MOS logic gates find primary use where low power dissipation and/

or high noise immunity is desired.

Features:

D Quiescent Current = 0.5nA Typ/Pkg at 5 Vdc

D Noise Immunity = 45% of V_DD(Typ)

D Supply Voltage Range = 3Vdc to 18Vdc

D All Outputs Buffered

D Capable of Driving Two Low−Power TTL Loads, One Low−Power Schottky TTL Load or Two

HTL Loads Over the Rated Temperature Range

D Double Diode Protection on All Inputs

Absolute Maximum Ratings: (Voltages Referenced to V_SS, Note 1)

DC Supply Voltage, V_DD. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −0.5 to +18.0V

Input Voltage (All Inputs), V_in. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −0.5 to V_DD+ 0.5V

DC Current Drain (Per Pin), I . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA

Operating Temperature Range, T_sA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65 to +150°C

Lead Temperature (8−Seconds Soldering), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 260°C

Note 1. These devices contain circuitry to protect the inputs against damage due to high static

voltages or electric fields; however, it is advised that normal precautions be taken to avoid

application of any voltage higher than maximum rated voltages to this high impedance cir-

cuit. For proper operation is is recommended that V_inand V_outbe constrained to the range

V_SS≤ (V_inor V_out) ≤ V_DD.

Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either V_SSor

V_DD).

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NTE4075B	NTE	获取价格	COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON
NTE4075BT	NTE	获取价格	OR Gate,
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