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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DIP, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 2.36 |
| 系列： | 4000/14000/40000 | JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 |
| 长度： | 15.24 mm | 逻辑集成电路类型： | XOR GATE |
| 功能数量： | 4 | 输入次数： | 2 |
| 端子数量： | 14 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 传播延迟（tpd）： | 350 ns | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 18 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTE4070BT | NTE |
获取价格 |
XOR Gate, |
|
| NTE4071B | NTE |
获取价格 |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON |
|
| NTE4072B | NTE |
获取价格 |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON |
|
| NTE4073B | NTE |
获取价格 |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON |
|
| NTE4073BT | NTE |
获取价格 |
AND Gate, |
|
| NTE4075B | NTE |
获取价格 |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON |
|
| NTE4075BT | NTE |
获取价格 |
OR Gate, |
|
| NTE4076B | NTE |
获取价格 |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON |
|
| NTE4077B | NTE |
获取价格 |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON |
|
| NTE4077BT | NTE |
获取价格 |
XNOR Gate, |
|
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