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NTE4018B

更新时间: 2024-11-02 22:50:55
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NTE 半导体
页数 文件大小 规格书
1页 118K
描述
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON

NTE4018B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DIP,Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:2.41
其他特性:LG_MAX计数方向:UP
系列:4000/14000/40000JESD-30 代码:R-XDIP-T16
长度:22 mm负载/预设输入:YES
逻辑集成电路类型:DIVIDE BY N COUNTER工作模式:SYNCHRONOUS
位数:5功能数量:1
端子数量:16最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
传播延迟(tpd):620 ns座面最大高度:5.08 mm
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发器类型:POSITIVE EDGE宽度:7.62 mm
最小 fmax:4 MHz

NTE4018B 数据手册

  

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