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NTE4017B

更新时间: 2024-01-27 19:15:45
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NTE 半导体
页数 文件大小 规格书
1页 118K
描述
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON

NTE4017B 技术参数

生命周期:Active包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:2.15其他特性:LG_MAX
计数方向:UP系列:4000/14000/40000
JESD-30 代码:R-PDIP-T16长度:22 mm
负载/预设输入:YES逻辑集成电路类型:RING COUNTER
工作模式:SYNCHRONOUS位数:10
功能数量:1端子数量:16
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
传播延迟(tpd):650 ns座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):18 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL触发器类型:POSITIVE EDGE
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

NTE4017B 数据手册

  

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