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NTE4013B

更新时间: 2024-11-02 22:50:55
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NTE 半导体触发器锁存器逻辑集成电路光电二极管
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1页 108K
描述
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON

NTE4013B 技术参数

生命周期:Active包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:2.12其他特性:LG_MAX
系列:4000/14000/40000JESD-30 代码:R-PDIP-T14
长度:19.95 mm逻辑集成电路类型:D FLIP-FLOP
位数:1功能数量:2
端子数量:14最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C输出极性:COMPLEMENTARY
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
传播延迟(tpd):350 ns座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):15 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL触发器类型:POSITIVE EDGE
宽度:7.62 mm最小 fmax:7.6 MHz
Base Number Matches:1

NTE4013B 数据手册

  

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