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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | DIP, | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 2.39 | 系列： | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T14 | 长度： | 15.24 mm |
| 逻辑集成电路类型： | NAND GATE | 功能数量： | 2 |
| 输入次数： | 4 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 传播延迟（tpd）： | 300 ns |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 18 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| NTE4012BT | NTE |
获取价格 |
NAND Gate, |
|
| NTE4013B | NTE |
获取价格 |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON |
|
| NTE4013BT | NTE |
获取价格 |
NTE4013B & NTE4013BT Integrated Circuit CMOS, |
|
| NTE4014B | NTE |
获取价格 |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON |
|
| NTE4015B | NTE |
获取价格 |
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON |
|
| NTE4015BT | NTE |
获取价格 |
Serial In Parallel Out, |
|
| NTE40160B | ETC |
获取价格 |
Logic IC |
|
| NTE40161B | NTE |
获取价格 |
Logic Circuit, |
|
| NTE40162B | NTE |
获取价格 |
Logic Circuit, |
|
| NTE40163B | ETC |
获取价格 |
Logic IC |
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