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NTE4009

更新时间: 2024-01-22 02:30:25
品牌 Logo 应用领域
NTE 半导体
页数 文件大小 规格书
1页 108K
描述
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON

NTE4009 技术参数

生命周期:Active包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:2.25
其他特性:LENGTH MAX系列:4000/14000/40000
JESD-30 代码:R-PDIP-T14长度:19.9 mm
逻辑集成电路类型:INVERTER功能数量:6
输入次数:1端子数量:14
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
传播延迟(tpd):80 ns座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):18 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm

NTE4009 数据手册

  

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