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NTE4008B

更新时间: 2024-11-02 22:50:55
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NTE 半导体
页数 文件大小 规格书
1页 108K
描述
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON

NTE4008B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:DIP,Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8542.39.00.01风险等级:5.7
其他特性:LG_MAX系列:4000/14000/40000
JESD-30 代码:R-PDIP-T16长度:22 mm
逻辑集成电路类型:ADDER/SUBTRACTOR位数:4
功能数量:1端子数量:16
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED传播延迟(tpd):800 ns
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):18 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

NTE4008B 数据手册

  

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