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NTE344

更新时间: 2024-11-20 04:36:03
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NTE 晶体晶体管射频
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 30W @ 175MHz

NTE344 数据手册

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NTE344  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Output  
PO = 30W @ 175MHz  
Absolute Maximum Ratings:  
CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17V  
CollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V  
EmitterBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A  
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W  
Operating Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65° to +175°C  
Thermal Resistance, JunctiontoCase, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3°C/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
I = 10mA, I = 0  
Min Typ  
Max Units  
CollectorBase Breakdown Voltage  
V
35  
4
V
V
(BR)CBO  
(BR)EBO  
(BR)CEO  
C
E
EmitterBase Breakdown Voltage  
CollectorEmitter Breakdown Voltage  
Collector CutOff Current  
Emitter Cutoff Current  
V
V
I = 10mA, I = 0  
E C  
I = 100mA, R = ∞  
17  
V
C
BE  
I
V
= 25V, I = 0  
2
mA  
mA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
CC  
CC  
E
I
V
V
V
V
= 3V, I = 0  
1
EBO  
C
DC Current Gain  
h
FE  
= 10V, I = 0.2A  
10  
28  
60  
50  
32  
70  
180  
C
Amplifier Power Out  
P
13.5V, f = 175MHz, P = 6W  
W
%
O
C
in  
Collector Efficiency  
η
= 13.5V, f = 175MHz, P = 6W  
in  

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