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NTE341

更新时间： 2024-11-20 04:36:03
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NTE 晶体晶体管射频
页数 文件大小 规格书
2页 76K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output

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NTE341 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-39
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：2.17外壳连接：EMITTER
最大集电极电流 (IC)：0.64 A集电极-发射极最大电压：18 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-39
JESD-30 代码：O-MBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：8 W
最大功率耗散 (Abs)：8 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

NTE341 数据手册

 浏览型号NTE341的Datasheet PDF文件第2页 
NTE341  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Output  
Description:  
The NTE341 is a epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for VHF mobile communications.  
The chip of this transistor is mounted so as to isolate the collector lead and ground the emitter lead  
for high gain performance.  
Features:  
D 175MHz  
D 12.5 Volts  
D POUT = 4W Minimum  
D GP = 12dB  
D Grounded Emitter  
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V  
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V  
Collector−Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V  
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 640mA  
Total Device Dissipation, Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8W  
Operating Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C  
Storage Temperatures Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21.9°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 10mA, I = 0  
18  
36  
4
−
−
−
−
−
−
−
V
V
V
(BR)CEO  
C
B
V
I = 5mA, V = 0  
C BE  
(BR)CES  
(BR)EBO  
Emitter−Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
ON Characteristics  
V
I = 0, I = 1mA  
C
E
I
V
CB  
= 15V, I = 0  
−
250 µA  
CBO  
E
DC Current Gain  
h
FE  
V
CE  
= 5V, I = 50mA  
10  
−
100  
C
Dynamic Characteristics  
Output Power  
P
V
CE  
V
CE  
V
CE  
= 12.5V, f = 175MHz  
= 12.5V, f = 175MHz  
= 15V, f = 1MHz  
4
12  
−
−
−
−
−
W
OUT  
Common−Emitter Amplifier Power Gain  
Output Capacitance  
G
dB  
PE  
C
180 230 pF  
ob  
12

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