NTE322

更新时间： 2024-11-19 22:50:55

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NTE		晶体小信号双极晶体管射频放大器局域网
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3页	30K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output

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NTE322 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	2.18	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	10 W
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

NTE322 数据手册

NTE322

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

Description:

The NTE322 is a silicon NPN RF power transistor in a TO202N type package designed for use in Citi-

zen–Band and other high–frequency communications equipment operating to 30MHz. Higher break-

down voltages allow a high percentage of up–modulation in AM circuits.

Features:

D Output Power: 3.5W (Min) @ V_CC= 13.6V

D Power Gain: 11.5dB (Min)

D High Collector Emitter Breakdown Voltage: V_(BR)CES≥ 65V

D DC Current Gain: Linear to 500mA

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Junction Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Note 1. R_thJAis measured with the device soldered into a typical printed circuit board.

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