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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> NTE320F
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NTE320F

更新时间： 2024-11-19 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体射频双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 30K
描述
Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz

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NTE320F 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, O-MRFM-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：1.97
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：7 A
基于收集器的最大容量：200 pF集电极-发射极最大电压：18 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-MRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：80 W最大功率耗散 (Abs)：80 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

NTE320F 数据手册

 浏览型号NTE320F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号NTE320F的Datasheet PDF文件第3页 
NTE320/NTE320F  
Silicon NPN RF Power Transistor  
40W @ 175MHz  
Description:  
The NTE320 and NTE320F are silicon NPN power transistors designed for 12.5V VHF large–signal  
amplifier applications required in commercial and industrial equipment operating to 300MHz.  
Features:  
D Specified 12.5V, 175MHz Characteristics:  
Output Power: 40W  
Minimum Gain: 4.5dB  
Efficiency: 70%  
D Available in Two Different Package Styles:  
T72 Stud Mount: NTE320  
W52K Flange Mount: NTE320F  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A  
Total Device Dissipation (TC = +25°C, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 460mW/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Stud Torque (NTE320 Only, Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5in. lb.  
Note 1. These devices are designed for RF operation. The total device dissipation rating applies  
only when the devices are operated as RF amplifiers.  
Note 2. For repeated assembly, use 5in. lb.  
123

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NTE320F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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