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NTE32 PDF预览

NTE32

更新时间： 2024-11-02 07:12:07
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体驱动器晶体管电视放大器
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon Complementary Transistors TV Sound Output, TV Vertical Output, AF Driver Output

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NTE32 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：1.81
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

NTE32 数据手册

 浏览型号NTE32的Datasheet PDF文件第2页 
NTE31 (NPN) & NTE32 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
TV Sound Output, TV Vertical Output,  
AF Driver Output  
Features:  
D High Voltage: VCEO = 160V  
D High Continuous Collector Current Capability  
Applications:  
D Vertical Deflection Output & Sound Output Applications for Line Operated TV  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA  
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW  
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
160  
–
Typ Max Unit  
V
I = 10mA, I = 0  
–
–
–
–
–
–
–
V
(BR)CEO  
C
B
I
V
= 150V, I = 0  
1.0  
1.0  
200  
1.5  
0.75  
µA  
µA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cutoff Current  
I
V
V
= 6V, I = 0  
–
EBO  
C
DC Current Gain  
h
FE  
= 5V, I = 200mA  
100  
–
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Voltage  
V
CE(sat)  
I = 500mA, I = 50mA  
V
V
C
B
V
BE  
V
CE  
= 5V, I = 5mA  
0.45  
C
Transition Frequency  
NTE31  
f
T
V
CE  
= 5V, I = 200mA  
20  
15  
100  
50  
–
–
MHz  
MHz  
C
NTE32  
Collector Output Capacitance  
NTE31  
C
ob  
V
CB  
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
–
–
–
–
20  
35  
pF  
pF  
E
NTE32  
12

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