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NTE319P

更新时间： 2024-11-01 22:50:55

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NTE		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	23K
描述
Silicon NPN Transistor VHF Amp w/Forward AGC

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NTE319P 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	2.15
最大集电极电流 (IC)：	0.05 A	基于收集器的最大容量：	0.22 pF
集电极-发射极最大电压：	20 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	35	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

NTE319P 数据手册

NTE319P

Silicon NPN Transistor

VHF Amp ^w/Forward AGC

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW

Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . +230°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Base Breakdown Voltage V_(BR)CBOI_C= 100µA, I_E= 0

–

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

V_(BR)EBOI_E= 100µA, I_C= 0

I_CBO

h_FE

V_CB= 20V, I_E= 0

–

I_C= 2mA, V_CE= 10V

–

80 220

Collector Saturation Voltage

V_CE(sat)I_C= 10mA, I_B= 5mA

–

2.75

–

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 1mA, I_B= 0

300

Current Gain–Bandwidth Product

f_T

I_C= 2mA, V_CE= 10V,

f = 100MHz

500 MHz

Power Gain

Capacitance

Noise Figure

G_pe

C_cb

V_BE= 2V, f = 45MHz

–

I_E= 0, V_CB= 10V, f = 1MHz

V_BE= 2V, f = 45MHz

0.13 0.22 pF

2.7 5.0 dB

–

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