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NTE312

更新时间： 2024-11-01 22:50:55
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NTE 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor

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NTE312 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：1.53配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：1 pF
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.36 W最小功率增益 (Gp)：10 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE312 数据手册

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NTE312  
N–Channel Silicon Junction  
Field Effect Transistor  
Description:  
The NTE312 is a field effect transistor designed for VHF amplifier and mixer applications. The  
NTE312 comes in a TO–92 package.  
Features:  
D High Power Gain: 10dB Min at 400MHz  
D High Transconductance: 4000 µmho Min at 400MHz  
D Low Crss: 1pF Max  
D High (Yfs) / Ciss Ratio (High–Frequency Figure–of–Merit)  
D Drain and Gate Leads Separated for High Maximum Stable Gain  
D Cross–Modulation Minimized by Square–Law Transfer Characteristic  
D For Use in VHF Amplifiers in FM, TV, and Mobile Communications Equipment  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V  
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –30V  
Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA  
Total Device Dissipation (TA = +25°C ), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW  
Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.88mW/°C  
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW  
Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0mW/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Lead Temperature, During Soldering (1/16 Inch from Case for 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +260°C  
123

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