NTE3100

更新时间： 2024-11-09 22:50:55

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NTE		光电断路器开关插槽式开关输出元件
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Photon Coupled Interrupter Module

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NTE3100 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	55 V	配置：	SINGLE
最大暗电源：	100 nA	最大正向电流：	0.06 A
最大正向电压：	1.7 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
元件数量：	1	功能数量：	1
最大通态电流：	0.1 A	标称通态集电极电流：	100 mA
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT SLOTTED SWITCH	最大功率耗散：	0.25 W
最长响应时间：	0.000008 s	标称槽宽：	3.28 mm
子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

NTE3100 数据手册

NTE3100

Photon Coupled Interrupter Module

Description:

The NTE3100 Interrupter Module is a gallium arsenide infrared emitting diode coupled to a silicon

phototransistor on a plastic housing. The package system is designed to optimize the mechanical

resolution, coupling efficiency, ambient light rejection, cost, and reliability. The gap in the housing pro-

vides a means of interrupting the signal with an opaque material, switching the output from an “ON”

into an “OFF” state.

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Total Device

Operating Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +100°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +100°C

Lead Temperature (During Soldering, 5sec max), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C

Infrared Emitting Diode

Power Dissipation, P_E. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.33mW/°C

Forward Current, I_F

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mA

Peak (Pulse Width ≤ 1µs, PRR ≤ 300pps) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Reverse Voltage, V_R. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Phototransistor

Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0mW/°C

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55V

Emitter–Collector Voltage, V_ECO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C, Note 1 unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Emitter

Reverse Breakdown Voltage

Forward Voltage

V_(BR)RI_R= 10µA

–

V_F

I_R

I_F= 60mA

1.7

Reverse Current

V_R= 5V

–

100 nA

Capacitance

C_i

V = 0, f = 1MHz

–

Note 1. Stray irradiation can alter values of characteristics. Adequate shielding should be provided.

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