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NTE299 PDF预览

NTE299

更新时间： 2024-11-24 07:10:51
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NTE 晶体驱动器放大器晶体管功率双极晶体管射频功率放大器局域网
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1页 22K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver

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NTE299 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.17
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：35 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：10
JEDEC-95代码：TO-202JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：4 W最大功率耗散 (Abs)：4 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

NTE299 数据手册

  
NTE299  
Silicon NPN Transistor  
RF Power Amp, Driver  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C  
Storage Temperatur Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25°C/W  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
V
I = 1mA, I = 0  
75  
35  
4
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)EBO  
C
E
V
V
I = 10mA, R = ∞  
C BE  
I = 1mA, I = 0  
–
V
E
C
I
V
= 30V, I = 0  
–
10  
µA  
CBO  
CB  
CE  
CC  
E
DC Current Gain  
h
FE  
V
= 10V, I = 0.1A  
10  
70 300  
C
Power Output  
P
O
V
= 12V, f = 27MHz, P = 75mW,  
1.2 1.4  
–
W
IN  
I < 166mA  
C
.380 (9.56)  
.180 (4.57)  
.132 (3.35) Dia  
C
.500  
(12.7)  
.325  
(9.52)  
1.200  
(30.48)  
Ref  
.070 (1.78) x 45°  
.300  
(7.62)  
Chamf  
.050 (1.27)  
.400  
(10.16)  
Min  
C
B
E
.100 (2.54)  
.100 (2.54)  
1

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