NTE2989

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	29K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2989 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

NTE2989 数据手册

NTE2989

MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D High Speed Switching

D Low On–Resistance

D No Secondary Breakdown

D Low Driving Power

D High Voltage

D Repetitive Avalanche Rated

Applications:

D Switching Regulators

D UPS

D DC–DC Converters

D General Purpose Power Amplifier

Absolute Maximum Ratings: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Drain–Source Voltage, V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V

Drain Current, I_D

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36A

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V

Avalanche Current, Repetitive or Non–Repetitive (T_ch≤ +150°C), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Avalanche Energy, E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64.7mJ

Maximum Power Dissipation, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

600

3.5

–

Typ Max Unit

Drain–Source Breakdown Voltage

Gate Threshold Voltage

I = 1mA, V = 0V

–

(BR)DSS

GS(th)

I = 1mA, V = V

4.0

0.2

4.5

500

1.0

Zero Gate Voltage Drain Current

= +25°C

µA

= 600V,

= 0V

DSS

= +125°C

–

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