NTE2987

更新时间： 2024-11-23 22:54:19

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	30K
描述
Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2987 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.1	Is Samacsys：	N
其他特性：	FAST SWITCHING	雪崩能效等级（Eas）：	120 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.12 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE2987 数据手册

NTE2987

Logic Level MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Avalanche Rugged Technology

D Logic Level Gate Drive

D R_DS(on) = 0.09Ω Typ. at V_GS= 5V

D +175°C Operating Temperature

D Fast Switching

D Low Gate Charge

D High Current Capability

Absolute Maximum Ratings:

Drain Current, I_D

Continuous

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A

Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7W/°C

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V

Avalanche Current, Repetitive or Non–Repetitive (Note 2), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120mJ

Repetitive Avalanche Energy (Note 2), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mJ

Avalanche Current, Repetitive or Non–Repetitive (Note 4), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A

Drain–Source Voltage (V_GS= 0), V_DS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Drain–Gate Voltage (R_GS= 20kΩ), V_DGR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C

Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), T_L. . . . . . . . . . +300°C

Thermal Resistance:

Maximum Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.43°C/W

Typical Case–to–Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), R_thCS. . . . . . 0.5°C/W

Maximum Junction–to–Ambient (Free Air Operation), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

Note 1. Pulse width limited by safe operating area.

Note 2. Pulse width limited by T_Jmax, Duty Cycle < 1%.

Note 3. V_DD= 25V, I_D= I_AR, Starting T_J= +175°C.

Note 4. T_C= +100°C, Pulse width limited by T_Jmax, Duty Cycle < 1%.

12 3

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NTE2987 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRL520PBF	VISHAY	功能相似	Power MOSFET
RFP12N10L	FAIRCHILD	功能相似	12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NTE2989	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE299	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
NTE2990	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2991	NTE	获取价格	MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2992	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2993	NTE	获取价格	MOSFET N−Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2994	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2995	NTE	获取价格	Transistor,
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