NTE2984

更新时间： 2024-11-19 22:54:19

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
3页	28K
描述
Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2984 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.16
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST SWITCHING
雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	17 A	最大漏极电流 (ID)：	17 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	60 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	68 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE2984 数据手册

NTE2984

Logic Level MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Dynamic dv/dt Rating

D Logic Level Gate Drive

D R_DS(on) Specified at V_GS= 4V & 5V

D +175°C Operating Temperature

D Fast Switching

D Ease of Paralleling

D Simple Drive Requirements

Absolute Maximum Ratings:

Drain Current, I_D

Continuous (V_GS= 5V)

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A

Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 68A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.40W/°C

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10V

Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110mJ

Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), T_L. . . . . . . . . . +300°C

Mounting Torque, 6–32 or M3 Screw . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10 lbf•in (1.1 N•m)

Thermal Resistance:

Maximum Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5K/W

Typical Case–to–Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), R_thCS. . . . . . . 0.5K/W

Maximum Junction–to–Ambient (Free Air Operation), R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62K/W

Note 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 2. L = 444µH, V_DD= 25V, R_G= 25Ω, Starting T_J= +175°C.

Note 3. I_SD≤ 17A, di/dt ≤ 140A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ +175°C.

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