NTE298

更新时间： 2024-11-20 04:36:03

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NTE		晶体驱动器音频放大器小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	24K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier, Driver

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NTE298 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	120 MHz
Base Number Matches：	1

NTE298 数据手册

NTE297 (NPN) & NTE298 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Audio Amplifier, Driver

Features:

D High Collector–Emitter Voltage

D Ideal for 25 – 30W Low–Frequency Output Drive

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Collector–Base Voltage

Collector–Emitter Voltage

Emitter–Base Voltage

DC Current Gain

Symbol

Test Conditions

V_CB= 20V, I_E= 0

Min Typ Max Unit

I_CBO

–

0.1

–

µA

V_CBOI_C= 10µA, I_E= 0

V_CEOI_C= 100µA, I_B= 0

V_EBOI_E= 10µA, I_C= 0

–

h_FE

V_CE= 10V, I_C= 150mA, Note 2

V_CE= 5V, I_C= 500mA, Note 2

Collector–Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 300mA, I_B= 30mA, Note 2

130

220

–

50 100

–

0.2 0.4

0.85 1.2

Base–Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

V_BE(sat)I_C= 300mA, I_B= 30mA, Note 2

f_T

V_CB= 10V, I_E= 50mA, f = 100MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

120

–

MHz

Collector Output Capacitance

C_ob

Note 1. NTE297MP is a matched pair of NTE297 with their DC Current Gain (h_FE) matched to within

10% of each other.

Note 2. Pulse Measurement

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NTE298 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE290A	NTE	类似代替	Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier
NTE2361	NTE	类似代替	Silicon Complementary Transistors High Speed Switch
BC618	ONSEMI	功能相似	Darlington Transistors(NPN Silicon)

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NTE2980	NTE	获取价格	Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2981	NTE	获取价格	Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2984	NTE	获取价格	Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2985	NTE	获取价格	Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2986	NTE	获取价格	Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2987	NTE	获取价格	Logic Level MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2988	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE2989	NTE	获取价格	MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch
NTE299	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor RF Power Amp, Driver
NTE2990	NTE	获取价格	Transistor,

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