NTE2975

更新时间： 2024-09-13 22:54:19

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NTE		晶体开关晶体管功率场效应晶体管
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3页	31K
描述
MOSFET N-Channel, Enhancement Mode High Speed Switch

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NTE2975 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

NTE2975 数据手册

NTE2975

MOSFET

N–Channel, Enhancement Mode

High Speed Switch

Features:

D Advanced Process Technology

D Ultra Low On–State Resistance

D Dynamic dv/dt Rating

D +175°C Operating Temperature

D Fast Switching

D Fully Avalanche Rated

Absolute Maximum Ratings:

Drain Current, I_D

Continuous (V_GS= 10V)

T_C= +25°C (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53A

T_C= +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37A

Pulse (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180A

Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107W

Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.71W/°C

Gate–Source Voltage, V_GS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V

Avalanche Current (Note 2), I_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28A

Repetitive Avalanche Energy (Note 2), E_AR. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11mJ

Single Pulse Avalanche Energy (Note 3, Note 4), E_AS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 152mJ

Peak Diode Recovery (Note 5), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0V/ns

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +175°C

Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec max), T_L. . . . . . . . . . . . . . . +300°C

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4°C/W

Typical Thermal Resistance, Case–to–Sink (Flat, greased surface), R_thCS. . . . . . . . . . . . . 0.5°C/W

Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62°C/W

Note 1. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package

limitation current is 39A.

Note 2. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.

Note 3. Starting T_J= +25°C, L = 389µH, R_G= 25Ω, I_AS= 28A.

Note 4. This is a calculated value limited to T_J= +175°C.

Note 5. I_SD≤ 28A, di/dt ≤ 220A/µs, V_DD≤ V_(BR)DSS, T_J≤ +175°C

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