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NTE2675

更新时间： 2024-11-02 19:42:11

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NTE		/
页数	文件大小	规格书
2页	63K
描述
Transistor,

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NTE2675 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.38
Base Number Matches：	1

NTE2675 数据手册

NTE2675

Silicon NPN Transistor

High Voltage High Speed Switch

TO3PN Type Package

Features:

D High Reliability

D High Voltage, High Speed Switching

Applications:

D Switching Regulators

D Ultrasonic Generators

D High Frequency Inverters

D General Purpose Power Amplifiers

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector−Base Voltage (Open Emitter), V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900V

Collector−Emitter Voltage (Open Base), V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Emitter−Base Voltage (Open Collector), V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Collector Power Dissipation (T_C= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25°C/W

Electrical Characteristics: (T_J= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

800

900

−

Typ Max Unit

Collector−Emitter Breakdown Voltage

Collector−Base Breakdown Voltage

Emitter−Base Breakdown Voltage

Collector−Emitter Saturation Voltage

Base−Emitter Saturation Voltage

I = 10mA, I = 0

−

(BR)CEO

(BR)CBO

I = 1mA, I = 0

−

(BR)EBO

CE(sat)

I = 2A, I = 400mA

1.0

1.5

BE(sat)

I = 2A, I = 400mA

−

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