Datasheet > NTE2663

NTE2663

更新时间： 2024-11-02 15:46:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		/
页数	文件大小	规格书
2页	42K
描述
Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE2663 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

NTE2663 数据手册

NTE2663

Silicon NPN Transistor

Ultrahigh-Definition CRT Display

Horizontal Deflection Output

Features:

D High Speed (t_f= 100ns Typ.)

D High Breakdown Voltage (V_CBO= 1500V)

D High-Speed Damper Diode Placed in One TO3PBL Package (t_fr= 0.2μs Max.)

D High Reliability

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector-Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V

Collector-Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V

Emitter-Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A

Diode Forward Current, I_O

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Pulse (Pulse Width ≤ 100μs, Duty Cycle ≤ 50%) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Collector Sustaining Voltage

Emitter Cutoff Current

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

I_CBO

V_CB= 1500V, I_E= 0

800

V_CEO(sus)I_C= 100mA, I_B= 0

I_EBOV_EB= 4V, I_C= 0

1.0

Collector-Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 6A, I_B= 1.5A

Base-Emitter Saturation Voltage

DC Current Gain

V_BE(sat)I_C= 6A, I_B= 1.5A

1.5

h_FE

V_CE= 5V, I_C= 1A

V_CE= 5V, I_C= 6A

3.0

0.2

Storage Time

t_stg

t_f

I_C= 6A, I_B1= 1.2A, I_B2= 2.4A

μs

Fall Time

0.1

Diode Forward Voltage

V_F

I_F= 6A

I_F= 10A

Diode Reverse Recovery Time

Diode Forward Recovery Time

t_rr

t_fr

I_F= I_R= 100mA

I_F= 100mA

μs

0.1

0.2

中文翻译

下载PDF

与NTE2663相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE2665	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection Output for High Resolution Display, Color TV
NTE2666	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2667	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2668	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Current Switching
NTE267	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor High Gain Darlington Power Amp, Switch
NTE2670	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2673	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2674	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2675	NTE	获取价格	Transistor,
NTE2678	NTE	获取价格	Transistor,

与NTE2663相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

6
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

3
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2663

NTE2663 技术参数

NTE2663 数据手册

与NTE2663相关器件

与NTE2663相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE2663

NTE2663 技术参数

NTE2663 数据手册

与NTE2663相关器件

与NTE2663相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？