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NTE2657

更新时间： 2024-11-02 15:46:55

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2页	73K
描述
Transistor,

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NTE2657 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	Base Number Matches：	1

NTE2657 数据手册

NTE2657 (NPN) & NTE2658 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Medium Power

Features:

D Low Saturation Voltage

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector−Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter−Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Peak Pulse Current, I_CM. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Power Dissipation (T_A= +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

Derate Above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.7mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_j. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55 to +200°C

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, R_thJA1. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175°C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1), R_thJA2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116°C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70°C/W

Note 1. Device mounted on P.C.B. with copper equal to 1sq. Inch minimum

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector−Base Breakdown Voltage

Collector−Emitter Breakdown Voltage

Emitter−Base Breakdown Voltage

Collector Cut−Off Current

I = 100µA

120

100

−

(BR)CBO

I = 10mA, Note 2

(BR)CEO

I = 100µA

(BR)EBO

= 100V

−

0.1 µA

CBO

−

= 100V, T = +100°C

Emitter Cut−Off Current

I = 100µA

−

0.1 µA

EBO

Collector−Emitter Saturation Voltage

I = 1A, I = 100mA, Note 2

0.13 0.3

0.23 0.5

0.9 1.25

CE(sat)

I = 2A, I = 200mA, Note 2

Base−Emitter Saturation Voltage

Base−Emitter Turn−On Voltage

I = 1A, I = 100mA, Note 2

BE(sat)

BE(on)

I = 1A, V = 2V, Note 2

0.8

Transition Frequency

NTE2657

I = 100mA, V = 5V, f = 100MHz

140 175

100 140

−

MHz

NTE2658

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