NTE2650

更新时间： 2024-11-02 12:29:11

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3页	61K
描述
NTE2649 (NPN) & NTE2650 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington

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NTE2650 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.19	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

NTE2650 数据手册

NTE2649 (NPN) & NTE2650 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector−Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V

Emitter−Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Power Dissipation (T_A= +25°C), P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C

Electrical Characteritics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

−

Typ Max Unit

Collector Cutoff Current

= 200V, I = 0

−

100

−

µA

CBO

Emitter Cutoff Current

= 5V, I = 0

−

EBO

Collector−Emitter Breakdown Voltage

DC Current Gain

I = 30mA

200

5000

−

(BR)CEO

= 4V, I = 10A

−

Collector−Emitter Saturation Voltage

Base−Emitter Saturation Voltage

Transition Frequency

CE(sat)

I = 10A, I = 10mA

−

2.5

3.0

−

BE(sat)

I = 10A, I = 10mA

−

= 12V, I = 2A

−

120

MHz

Collector Output Capacitance

= 10V, I = 0, f = 1MHz

−

12 3

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