NTE2649 (NPN) & NTE2650 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Darlington
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Collector Power Dissipation (TA = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C
Electrical Characteritics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
−
Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
I
V
V
= 200V, I = 0
−
−
100
100
−
µA
µA
V
CBO
CB
E
Emitter Cutoff Current
I
= 5V, I = 0
−
EBO
EB
C
Collector−Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
V
I = 30mA
200
5000
−
−
(BR)CEO
C
h
FE
V
CE
= 4V, I = 10A
−
−
C
Collector−Emitter Saturation Voltage
Base−Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
V
CE(sat)
I = 10A, I = 10mA
−
2.5
3.0
−
V
V
C
B
V
BE(sat)
I = 10A, I = 10mA
−
−
C
B
f
T
V
= 12V, I = 2A
−
70
120
MHz
pF
CE
CB
E
Collector Output Capacitance
C
ob
V
= 10V, I = 0, f = 1MHz
−
−
E