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NTE2649

更新时间: 2024-11-02 12:29:11
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NTE 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 61K
描述
NTE2649 (NPN) & NTE2650 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington

NTE2649 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:2.13
Is Samacsys:NBase Number Matches:1

NTE2649 数据手册

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NTE2649 (NPN) & NTE2650 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Darlington  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
CollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
EmitterBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Collector Power Dissipation (TA = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55° to +150°C  
Electrical Characteritics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
= 200V, I = 0  
100  
100  
µA  
µA  
V
CBO  
CB  
E
Emitter Cutoff Current  
I
= 5V, I = 0  
EBO  
EB  
C
CollectorEmitter Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
V
I = 30mA  
200  
5000  
(BR)CEO  
C
h
FE  
V
CE  
= 4V, I = 10A  
C
CollectorEmitter Saturation Voltage  
BaseEmitter Saturation Voltage  
Transition Frequency  
V
CE(sat)  
I = 10A, I = 10mA  
2.5  
3.0  
V
V
C
B
V
BE(sat)  
I = 10A, I = 10mA  
C
B
f
T
V
= 12V, I = 2A  
70  
120  
MHz  
pF  
CE  
CB  
E
Collector Output Capacitance  
C
ob  
V
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
E

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