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NTE2647

更新时间： 2024-11-03 01:23:51

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2页	60K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose Amp

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NTE2647 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.4
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

NTE2647 数据手册

NTE2647 (PNP) & NTE2648 (NPN)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose Amp

Features:

D High Transition Frequency

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector−Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230V

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 230V

Emitter−Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Collector Power Dissipation, P_C

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.0W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Symbol

I_CBO

Test Conditions

V_CB= 230V, I_E= 0

V_EB= V, I_C= 0

Min Typ Max Unit

−

1.0

−

µA

I_EBO

Collector−Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 10mA, I_B= 0

DC Current Gain h_FEV_CE= 5V, I_C= 100mA

Collector−Emitter Saturation Voltage V_CE(sat)I_C= 500mA, I_B= 50mA

230

100

−

320

1.5

1.0

Base−Emitter Voltage

V_BE

V_CE= 5V, I_C= 500mA

−

Transition Frequency

NTE2747

f_T

V_CE= 10V, I_C= 100mA

−

MHz

NTE2748

100

Collector Output Capacitance

NTE2647

C_ob

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

−

NTE2748

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