NTE2643

更新时间： 2024-11-01 22:49:51

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NTE		晶体放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor, VHF/UHF Low Noise Amp (Surface Mount)

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NTE2643 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.4
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	80
最高工作温度：	125 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	标称过渡频率 (fT)：	5000 MHz
Base Number Matches：	1

NTE2643 数据手册

NTE2643

Silicon NPN Transistor,

VHF/UHF Low Noise Amp

(Surface Mount)

Features:

D Low Noise Figure, High Gain

D NF = 1.1dB, |S_21e|²= 13dB (f = 1GHz)

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V

Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mA

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA

Collector Power Dissipation, P_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mW

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

DC Current Gain

Symbol

I_CBO

I_EBO

h_FE

Test Conditions

Min

–

Typ Max Unit

V_CB= 10V, I_E= 0

–

µA

V_EB= 1V, I_C= 0

–

V_CE= 10V, I_C= 20mA

–

240

1.6

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Transition Frequency

Insertion Gain

C_ob

1.1

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz, Note 1

C_re

–

0.65 1.05 pF

f_T

V_CE= 10V, I_C= 20mA

–

GHz

|S_21e

V_CE= 10V, I_C= 20mA, f = 500MHz

V_CE= 10V, I_C= 20mA, f = 1GHz

V_CE= 10V, I_C= 5mA, f = 500MHz

V_CE= 10V, I_C= 5mA, f = 1GHz

–

9.5 13.0

–

Noise Figure

–

1.1

2.0

Note 1. C_reis measured by 3 terminal method with capacitance bridge.

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