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NTE2640

更新时间: 2024-11-01 22:49:51
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体晶体管电视
页数 文件大小 规格书
2页 26K
描述
Silicon NPN Transistor Color TV Horizontal Deflection Output

NTE2640 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:2.17
最大集电极电流 (IC):6 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):5最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):30 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
Base Number Matches:1

NTE2640 数据手册

 浏览型号NTE2640的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2640  
Silicon NPN Transistor  
Color TV Horizontal Deflection Output  
Features:  
D High Speed  
D High Collector–Emitter Breakdown Voltage  
D High Reliability  
D On–Chip Damper Diode  
Absolute Maximum Ratings: (TA + 25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1500V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A  
Pulse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Collector Dissipation, PC  
TA + 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W  
TC + 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA + 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ Max Unit  
Collector Cutoff Current  
I
V
V
V
= 800V, I = 0  
10  
1.0  
µA  
mA  
mA  
V
CBO  
CE  
CE  
EB  
E
I
= 1500V, R = 0  
CES  
BE  
Emitter Cutoff Current  
I
= 4V, I = 0  
40  
800  
EBO  
C
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
DC Current Gain  
V
I = 100mA, I = 0  
CEO(sus)  
C
B
V
CE(sat)  
I = 3.15A, I = 630mA  
3.0  
1.5  
V
C
B
V
BE(sat)  
I = 3.15A, I = 630mA  
V
C
B
h
FE  
V
= 5V, I = 500mA  
10  
5
CE  
CE  
C
V
= 5V, I = 3.5A  
8
C
Diode Forward Voltage  
Fall Time  
V
F
I
= 6A  
2
V
EC  
t
f
V
B1  
= 200V, V = 2V, I = 2A,  
0.3  
µs  
CC  
BE  
C
I
= 400mA, I = 800mA,  
B2  
Pulse Width = 20µs, Duty Cycle 1%  

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