NTE264

更新时间： 2024-11-02 04:00:19

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NTE		晶体放大器晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管开关功率放大器局域网
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2页	28K
描述
Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier

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NTE264 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SFM
包装说明：	TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	1.65
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	65 W
最大功率耗散 (Abs)：	65 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE264 数据手册

NTE263 (NPN) & NTE264 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Darlington Power Amplifier

Description:

The NTE263 (NPN) and NTE264 (PNP) are complementary silicon Darlington power transistors in

a TO220 type package designed for general purpose amplifier and low–speed switching applications.

Features:

D High DC Current Gain:

h_FE

= 2500 Typ (NTE263)

= 3500 Typ (NTE264)

D Collector–Emitter Sustaining Voltage: V_CEO(sus)= 100V Min

D Low Collector–Emitter Saturation Voltage:

V_CE(sat)= 2V Max @ I_C= 5A

D Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250mA

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.52W/°C

Total Power Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.016W/°C

Operating Junction Temperature range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Storage Temperature range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.92°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W

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NTE264 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE2344	NTE	类似代替	Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp, Switch
NTE262	NTE	类似代替	Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amplifier
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NTE2646	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor General Purpose Amplifier, Switch Surface Mount
NTE2647	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors General Purpose Amp
NTE2648	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors General Purpose Amp
NTE2649	NTE	获取价格	NTE2649 (NPN) & NTE2650 (PNP) Silicon Complementary Transistors Darlington

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