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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> NTE2634
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NTE2634

更新时间： 2024-11-02 04:00:19
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NTE 晶体射频双极晶体管驱动放大器局域网
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2页 24K
描述
Silicon Complementary Transistors High Frequency Video Driver

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NTE2634 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.41Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.3 A基于收集器的最大容量：2 pF
集电极-发射极最大电压：95 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20最高频带：HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-126JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1200 MHz
Base Number Matches：1

NTE2634 数据手册

 浏览型号NTE2634的Datasheet PDF文件第2页 
NTE2633 (NPN) & NTE2634 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
High Frequency Video Driver  
Description:  
The NTE2633 (NPN) and NTE2634 (PNP) are silicon complementary epitaxial transistor in a TO126  
type package designed for use in the buffer stage of the driver for high–resolution color graphics moni-  
tors.  
Features:  
D High Breakdown Voltage  
D Low Output Capacitance  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 115V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95V  
Collector–Emitter Voltage (RBE = 100Ω), VCER . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V  
DC Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA  
Total Power Dissipation (TS ≤ +115°C, Note 1), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Soldering Point (TS ≤ +115°C, Note 1), RthJS . . . . . . . . . 20K/W  
Note 1. TS is the temperature at the soldering point of the collector lead.  
Electrical Characteristics: (TJ = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
I = 0.1mA  
115  
95  
110  
3
–
–
–
–
–
–
V
V
V
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
(BR)CER  
(BR)EBO  
C
V
V
V
I = 10mA  
C
I = 10mA, R = 100Ω  
C
–
BE  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
I = 0.1mA  
E
–
I
I = 0, V = 50V  
–
–
100 µA  
CES  
B
CE  
I
I = 0, V = 50V  
–
–
20  
–
µA  
CBO  
E
CB  
DC Current Gain  
h
I = 50mA, V = 10V, T = +25°C  
20  
35  
FE  
C
CE  
A
Transition Frequency  
f
I = 50mA, V = 10V, f = 100MHz,  
A
0.8 1.2  
–
GHz  
pF  
T
C
CE  
T = +25°C  
Collector–Base Capacitance  
C
I = 0, V = 10V, f = 1MHz, T = +25°C  
–
2.0  
–
cb  
C
CB  
A
12

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